磷化銦基中紅外波段量子級聯激光器緩沖層及其制備方法

2009年

應用技術

中期階段

成果簡介

利用本專利方法生長的InP緩沖層，可以作為下波導包裹層，有效裁剪下波導層包裹層的折射率，實現了對激光器有效的光學限制和自由載流子限制；或作為量子級聯激光器的高臺面深度腐蝕的腐蝕終止層，防止中紅外量子級聯激光器有源區電流向襯底擴散，降低量子級聯激光器的閾值電流密度；或作為來自襯底缺陷和外來雜質的吸收層，改善襯底和外延層界面質量。
本成果已應用于制備5-10微米中紅外F-P腔...

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