一種檢測氮化鎵基發光二極管質量優劣的方法

2009年

應用技術

中期階段

成果簡介

本發明公開了一種檢測氮化鎵基半導體發光二極管質量優劣的方法。它是根據GaN基半導體發光二極管中存在的壓電效應和InN類量子點結構，通過測量在不同注入電流下，發光峰位的藍移量來判斷發光二極管性能的優劣。在相同注入電流下，如果發光峰位藍移量越大，電流的注入效率就越高，電流在芯片、電極、支架、引線等器件各個部分上的損失就越小。這就說明制造發光二極管的各個工藝過程，如材料生長、電極加工、封裝控制的...

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一種檢測氮化鎵基發光二極管質量優劣的方法

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