可逆相變材料電性能的表征方法

2009年

應用技術

初期階段

成果簡介

本發明提供一種可逆相變電阻與晶體管合二為一的相變存儲器單元制備方法。主要利用相變材料的半導體特性，通過對相對穩定且易微細加工的可逆相變材料所具有的N型與P型特性制備出微米到納米量級的小尺寸場效應晶體管，利用納米加工技術，在晶體管的源、漏上制備5-100nm的引出電極，這樣就可實現構成相變存儲單元的1R1T（一個可逆相變電阻，一個場效應晶體管）在結構上的一體化與功能上的集成，可有效提高相變存...

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