2009年 應(yīng)用技術(shù)
中期階段 提高P型硅外延電阻率一致性的控制方法，其步驟如下：(1) 硅片拋光清洗后進行背封，即浸泡于含有雙氧水或臭氧的純水中，使硅片表面生成潔凈氧化層；(2)外延前提高趕氣溫度80-120℃，迅速改變氣體流速，反復(fù)變化4-12個周期，使滯留層內(nèi)的雜質(zhì)濃度降低3-6個數(shù)量級；(3)變速趕氣后，立即降溫至生長溫度，生長本征層，將石墨基座襯底正、側(cè)面和與石墨接觸邊緣全部封閉；(4)再進行3-6個周期變溫趕...
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