碳硅化鈦基梯度材料及原位反應的制備方法

2009年

應用技術

初期階段

成果簡介

本發明涉及一種碳硅化鈦基梯度材料及原位反應的制備方法，其特征在于所制備的梯度材料一端是單相ti↓［3］sic↓［2］，另一端為ti↓［3］sic↓［2］－tic或sic－tic相，中間至少一層，制備方法是按組成，選擇ti、si、c和al為原料，混和后放電等離子原位反應燒結，燒結溫度為1200－1500℃，升溫速率為80－200℃／min，壓力為50－70mpa，保溫6－10分鐘。本發明特征...

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