2004年 應(yīng)用技術(shù)
ZnO肖特基二極管是在襯底的正面自下而上依次沉積第一金屬電極層、ZnO晶體膜外延層和第二金屬電極層而構(gòu)成。該ZnO肖特基二極管，由于歐姆接觸與肖特基接觸的電極直接在ZnO外延層的兩側(cè)，可避免因襯底造成的串聯(lián)電阻過(guò)大而導(dǎo)致器件的理想因子偏高，有利于提高截止頻率。由于采用ZnO薄膜，因此該二極管原料豐富，價(jià)格低廉，且適合高溫、高頻丁作，抗輻射能力強(qiáng)。此外，由于有多種襯底適合ZnO薄膜的沉積，使得器件結(jié)...
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