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    空穴導電碲鎘汞外延材料處理工藝及裝置

    2001年 應用技術  中期階段
    • 成果簡介
    一種碲鎘汞分子束外延材料真空熱處理方法,包括碲鎘汞分子束外延工藝、在碲鎘汞分子束外延材料上生長一層CdTe覆蓋層工藝和熱處理工藝,其特征在于:
    1. 帶有CdTe覆蓋層的碲鎘汞樣品直接在分子束外延的生長室中進行真空熱處理,或者將該硝鋪京樣品置于真空封閉的石英安瓿中進行熱處理:
    2. 熱處理溫度在200℃到320℃范圍內,通過改變熱處理溫度將碲鎘汞外延...

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