2001年 應(yīng)用技術(shù)
初期階段 本項(xiàng)目來源于國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目“碳化硅材料氧化膜改性、表面復(fù)合涂層與高溫導(dǎo)電性能（59772013）”。
采用工業(yè)碳化硅，加入適量樹脂結(jié)合劑、碳等，并保證一定的生坯氣孔率；真空加熱然后在保護(hù)氣氛下通過硅/碳直接反應(yīng)燒結(jié)法制備得到由α-SiC、β-SiC、游離硅，少量游離碳的低電阻碳化硅復(fù)相材料，生坯中適量A1、N、Ni、Mo元素的摻雜有利于降低材料室溫電阻率，改善材料... 
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