基于電阻變化的非揮發性存儲器、切換方法及制備方法

2008年

應用技術

初期階段

成果簡介

本發明涉及一種基于電阻變化的非揮發性存儲器、切換方法及制備方法，它是以Pt-Re1-xAxMnO3-Ag的三明治結構為基礎單元，其中 0.05＜x＜0.95，A為Ca或Ba，Re為La或Pr，其特征在于在頂電極Ag陣列中選擇雙節點A和A、B兩點間間距大于薄膜厚度5倍以上；它們與底電極Pt陣列中的O點是通過金屬導線連接的；電脈沖的作用是通過所選擇的雙節點施加的。通過改變電脈沖電壓大小的方法進...

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基于電阻變化的非揮發性存儲器、切換方法及制備方法

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