2004年 應(yīng)用技術(shù)
初期階段 本項研究的目標(biāo)是獲得碲鎘汞焦平面探測器制備的等離子體干法關(guān)鍵技術(shù)。其研究內(nèi)容與解決的關(guān)鍵技術(shù)為：電導(dǎo)耦合等離子體刻蝕技術(shù)以及對碲鎘汞材料的改性；離子束不展刻技術(shù)以及對碲鎘汞的改性；（1）運用x射線晶體衍射、激光束光電流等研究手段，研究不同工藝條件下材料性質(zhì)的變化，從而獲得對碲鎘汞損傷小的ICP技術(shù)；（2）運用SEM、AFM等檢測手段，研究反應(yīng)氣體配比、壓力以及偏壓大小對結(jié)果的影響，獲得光滑、理...
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