CdS納米帶光電導性能研究

2008年

應用技術

成果簡介

隨著納米材料制備水平的日趨深入、成熟和多樣化，納米器件及其性能的研究得到了廣泛開展，并在晶體管、發光二極管、氣體和化學傳感器等應用方面獲得了初步成功。理化所最近成功地制備了寬度幾個微米的CdS納米帶，對納米帶的結構進行了表征，測量了單根納米帶的光電導性能。實驗發現：納米帶的生長方向與其它II-VI族半導體納米帶不同；CdS單根納米帶的光譜響應、光強度和時間響應速度比體材料和薄膜的響應速度快...

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CdS納米帶光電導性能研究

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