磷化銦和砷化鎵材料的直接鍵合方法

2008年

應用技術

成熟應用階段

成果簡介

本發明提供了一種無損檢測III-V族化合物半導體InP與GaAs基材料的直接鍵合結構質量的方法。在直接鍵合過程中，由于鍵合壓力沿晶片表面分布的不均勻或晶片預處理過程中非故意引入的表面顆粒物質使InP-GaAs交界面局部區域形成非良好接觸，鍵合退火過程后這些區域形成較差的鍵合界面或未鍵合區域；對InP-GaAs直接鍵合結構進行紅外吸收光譜特性的二維掃描探測發現，某些區域在波長3.51um附近...

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磷化銦和砷化鎵材料的直接鍵合方法

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