2008年 應(yīng)用技術(shù)
中期階段 一種新型相變微、納電子存儲(chǔ)器器件結(jié)構(gòu)及其制備方法。本發(fā)明的設(shè)計(jì)原理是基于尖端效應(yīng)，即施加電壓后，圖形尖端處的電阻或電流會(huì)很大，是器件單元中相變層發(fā)生相變的觸發(fā)點(diǎn)。通過(guò)采用薄膜制備工藝在襯底上制備出器件的各層薄膜，然后利用微細(xì)加工工藝制備出含有尖端的器件單元，器件單元中的發(fā)生相變區(qū)域的尺寸大約在2到200nm范圍內(nèi)，多個(gè)器件單元重復(fù)排列就構(gòu)成了微、納電子存儲(chǔ)器器件。這種微、納電子存儲(chǔ)器器件結(jié)...
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