量子阱太赫茲多波段集成相干光源芯片及制備方法

2008年

應用技術

中期階段

成果簡介

本發明公開了一種量子阱太赫茲多波段集成相干光源芯片及制備方法，它是通過分子束外延技術在襯底上生長一個雙勢阱的單量子阱結構，使雙勢阱內勢能結構為階梯形且階梯傾斜；再通過脈沖激光輻照技術對量子阱的不同區域進行不同時間的輻照，以改變不同區域的能帶結構，從而改變其發光頻率，得到一個高發光強度的不同發光頻率的區域集成在一起的量子阱芯片。并且各區域在同一電壓下工作，使得芯片的結構非常簡單。...

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量子阱太赫茲多波段集成相干光源芯片及制備方法

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