研究目的:研究CMOS RF IC的設(shè)計(jì)方法并用與單片CMOS RF收發(fā)器的設(shè)計(jì)中。
主要研究內(nèi)容:
(1) 高頻、大信號MOSFET RF整體模型研究射頻電路設(shè)計(jì)中,MOSFET作為一種功能復(fù)雜的器件使用,需要考慮其敏感、細(xì)微的變化特征,尤其是其大信號高頻動態(tài)特性在模擬中,必須要得到如實(shí)的體現(xiàn)才能在電路仿真中正確的預(yù)估出電路性能。基于表面勢的MOSFET模型能夠滿...
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