銻化鎵多晶和單晶片的制備技術

2008年

應用技術

成果簡介

(1)爐內合成銻化鎵多晶，其優點是合成速度快、化學配比好、雜質玷污少，多晶的生產成本低。
(2)熔體表面浮渣的去除技術，保證單晶生長的進行。
(3)單晶生長。用液封直拉法生長晶體的位錯密度低、殘留應力小、成晶率高。
(4)晶片的切割、研磨、拋光、腐蝕和清洗等工藝技術。可達到晶片的開盒即用技術要求。
成果狀況：目...

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銻化鎵多晶和單晶片的制備技術

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