高阻碲鋅鎘單晶體的生長及其性能觀測

2002年

應(yīng)用技術(shù)

成果簡介

報道了采用富 Cd原料的無籽晶垂直布里奇曼法生長高阻碲鋅鎘 Cd0 .8Zn0 .2 Te(CZT)單晶體的新工藝，對所生長的晶體作了 X射線衍射分析、紅外透過率測試、光吸收截止波長測量及電學(xué)性能測試。晶體在 4 4 0 0～ 4 5 0 cm- 1范圍內(nèi)的紅外透過率達到 5 0 %，截止吸收波長為 787.6 nm，帶隙為 1.5 74 e V，室溫電阻率達到 2× 10 ^(1 0) ...

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高阻碲鋅鎘單晶體的生長及其性能觀測

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