用于狀態記憶安裝系統的填料及其應用工藝過程

2002年

應用技術

初期階段

成果簡介

本發明要解決的技術問題是提出一種符合狀態記憶安裝系統綜合性能要求，即不含有毒元素Pb或Cd、熔點溫度低、強度高、脆性小，切削性能好、易于回收利用的用于狀態記憶安裝系統的填料。本發明通過采用以下技術方案使上述問題得到解決：一種用于狀態記憶安裝系統的填料，其特征在于，它是由鉍和錫，即Bi和Sn組成的低熔點非共晶合金，其中Bi和Sn的成分配比分別為15～60%WT和40～85%WT，熔點溫度介于...

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