納米碳管輻照損傷機理研究

2002年

應(yīng)用技術(shù)

成果簡介

對碳納米管受載能粒子輻照引起的結(jié)構(gòu)損傷性質(zhì)，用分子動力學模擬方法進行了研究，得到一系列基本參數(shù)．包括計算出單壁碳納米管上碳原子的平均離位閾能以及角分布；形成輻照引起碳納米管點缺陷的特征；載能異類原子從管壁進入并停留在單壁碳納米管內(nèi)的入射能量，入射角度的允許范圍．這些基本參數(shù)的確定對涉及碳納米管與載能粒子相互作用的機理研究和相關(guān)實驗有指導價值．...

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納米碳管輻照損傷機理研究

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