新型同質結內發射遠紅外探測器的物理與器件研究

2001年

應用技術

成果簡介

新型同質結內發射遠紅外探測器的物理和器件研究半導體遠紅外探測器在紅外和亞毫米波段(30-1000微米)的天體物理研究上具有廣泛的應用前景。但是由于材料特性的限制，目前硅基非本征半導體紅外探測器的截止波長最長也只有40微米。本項目利用新型同質結遠紅外探測的概念，在實現高質量GaAs和Si遠紅外探測器薄膜材料分子束外延生長的基礎上，通過一系列光電特性實驗研究、探測器器件特性研究與理論模型分析...

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新型同質結內發射遠紅外探測器的物理與器件研究

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