2007年 應(yīng)用技術(shù)
項(xiàng)目簡(jiǎn)介及應(yīng)用前景：在YAP晶體生長(zhǎng)后期，即晶體等徑部分達(dá)到預(yù)定尺寸后，為避免晶體開(kāi)裂，減慢提拉速度，緩慢升溫使晶體直徑逐漸變細(xì)，待晶體直徑達(dá)到6-8mm時(shí)，然后恒溫生長(zhǎng)晶體一段時(shí)間，最后分六階段緩慢降至室溫，在降溫過(guò)程中，若晶體已被拉出保溫罩，則將提拉速度設(shè)置為零，若沒(méi)有被拉出保溫罩，則繼續(xù)上引，為防止晶體被扭斷，堝內(nèi)余料凝固前需關(guān)掉晶轉(zhuǎn)，開(kāi)爐后取出坩堝，此時(shí)晶體與坩堝內(nèi)余料粘在一起，將晶體...
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