2005年 應(yīng)用技術(shù)
本發(fā)明屬于超深亞微米及以下特征尺寸半導(dǎo)體器件制備方法，特別涉及用于超深亞微米金屬柵CMOS制造的一種替代柵制備技術(shù)。用金屬作柵電極，可以從根本上消除柵耗盡效應(yīng)和硼穿透現(xiàn)象，同時(shí)獲得非常低的柵電極薄層電阻。本發(fā)明采用嵌入式金屬柵CMOS工藝（即替代柵制備工藝）實(shí)現(xiàn)了一種新穎的金屬柵CMOS技術(shù)。在這種嵌入式金屬柵CMOS工藝中，主要關(guān)鍵技術(shù)之一是一套替代柵的制備技術(shù)，它包括替代柵材料的選取，...
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