高電子遷移率晶體管電路T型柵制作方法

2005年

應用技術

成果簡介

本發明涉及超高速微電子器件技術領域，高電子遷移率晶體管(HEMT) 電路T型柵制作方法。方法步驟：取原始基片，進行清洗，做標記，制作隔離島、源漏金屬蒸發、剝離、合金工藝；對基片進行清洗；涂PMMA膠；涂膠后立即烘烤；取出基片；涂膠后立即烘烤；將涂膠后的基片送電子束曝光；對曝光后的基片上層PMMA膠顯影、定影；吹干；該方法兼有現有技術兩種T型柵制作方法的優點，同時回避了各自的缺點，使小柵長制...

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高電子遷移率晶體管電路T型柵制作方法

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