一種超薄氮化硅/二氧化硅疊層柵介質的制備方法

2005年

應用技術

成果簡介

一種超薄氮化硅/二氧化硅疊層柵介質的制備方法，采用常規的低成本低壓化學汽相沉積(LPCVD)方法來制備超薄Si_3N_4膜，得到性能優良的等效氧化層厚度(EOT)為1.9nm的超薄Si_3N_4/SiO_2 stack柵介質。并在此基礎上詳細研究了Si_3N_4/SiO_2(N/O)stack柵介質的特性，成功應用于柵長為0.13μm高性能N/O stack柵介質CMOS器件研制，為深亞微...

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一種超薄氮化硅/二氧化硅疊層柵介質的制備方法

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