采用基于硅襯底突點(diǎn)制作及釋放犧牲層的方法

2005年

應(yīng)用技術(shù)

成果簡介

本發(fā)明涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種采用基于硅襯底突點(diǎn)制作及釋放犧牲層的方法。其工藝步驟如下：
1、在<100>硅基片上淀積SiNX薄膜；
2、光刻，刻蝕SiNX薄膜，形成腐蝕窗口，去膠；
3、腐蝕硅襯底，形成硅突點(diǎn)；
4、表面淀積SiO_2薄膜犧牲層；
5、光刻，打底膠，表面淀積鉻薄膜，剝...

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采用基于硅襯底突點(diǎn)制作及釋放犧牲層的方法

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