一種高擊穿電壓絕緣體上硅器件結構及其制備方法

2006年

應用技術

成果簡介

本發明公開了一種高擊穿電壓SOI器件結構，包括SOI襯底(3)，埋氧層(2)，形成在SOI頂層硅膜(1)內的晶體管，所述晶體管包括柵電極(30)，柵氧化層(31)，漏電極(10)，源電極(50)背柵溝道(60)，以及位于漏電極(10)與源電極(50)之間且位于背柵溝道(60)兩側的體區(53)。本發明同時公開了一種高擊穿電壓SOI器件結構的制備方法。利用本發明，有效地提高了SOI器件的擊穿...

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