利用離子束外延生長設備制備氮化鋯薄膜材料的方法

2004年

應用技術

成果簡介

本發明提供一種利用離子束外延(IBE)生長設備制備氮化鋯(ZrN)薄膜材料的方法。在具有質量分離功能與荷能離子沉積特點的雙離子束外延生長設備上，選用純度要求不高的氯化鋯(ZrCl_4)固體粉末和氮氣(N_2)分別作為產生同位素純低能金屬鋯離子(Zr^+)束和氮離子(N^+)束的原材料，通過準確控制參與生長的兩種同位素純低能離子的交替沉積束流劑量與配比、離子能量、離子束斑形狀及生長溫度，在超...

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