一種超微壓壓力傳感器硅芯片的制作方法

2007年

應用技術

成果簡介

　　本發(fā)明涉及一種超微壓壓力傳感器硅芯片的制作方法，利用硅的平面工藝和體微機械加工技術結合，采用集成電路平面工藝技術和硅的各向異性腐蝕，結合壓力傳感器芯片設計中梁膜結構與平膜雙島結構的優(yōu)點，采用雙島－梁膜結構充分集中了應力，在保證高線性精度的情況下，研制了高靈敏度超低微壓壓力傳感器硅微芯片。該方法主要包括氧化、雙面光刻對準記號、氧化、光刻背部大膜和光刻正面梁區(qū)、背部大膜和正面梁區(qū)腐蝕、氧化、光刻背...

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一種超微壓壓力傳感器硅芯片的制作方法

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