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    SiGe/Si單片集成高速OEIC光接收芯片的研究

    2007年 應用技術
    • 成果簡介
      該項目研究了SiGe/Si高速OEIC光接收芯片中的關鍵器件SiGe/Si HBT和光電探測器,并研制出光接收機模塊。主要的研究成果包括:
      1、在SiGe/Si HBT材料生長研究中,采用變溫與限制生長相結合的方法,實現了異質結界面與PN結界面的精確控制;研究了B對SiGe/Si材料的應變補償作用,得到了B的收縮因子為B=6.23×10^(-24 )crn^3/atom,相對于...

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