采用砷化鎵基含磷材料的紫外增強光電探測器及制作方法

2007年

應用技術

中期階段

成果簡介

　　本發明涉及基于砷化鎵基含磷化合物半導體材料的紫外增強光電探測器，包括以半絕緣砷化鎵單晶材料作為探測器的襯底，在其上采用外延方法生長特定的寬禁帶含磷化合物薄膜材料作為有源光吸收層和窗口層，以達到紫外增強光吸收效果并消除其對紅外光的響應，并采用合適的摻雜方式在其中構成PN結。外延材料采用特定的選擇刻蝕工藝制作出臺面結構，經鈍化保護后制作出接觸電極，并選用相應的抗反射增透膜進一步提高其短波響應。此種...

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采用砷化鎵基含磷材料的紫外增強光電探測器及制作方法

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