一種納電子相變存儲器的制備方法

2007年

應用技術

中期階段

成果簡介

　　本發明涉及一種納電子相變存儲器的制備方法。屬于微電子學中的納米材料的制造工藝。
　　特征在于：首先在襯底材料上沉積一層下電極材料W，然后依次沉積一層Al和一層SiO_2。通過曝光、刻蝕，在SiO_2上刻蝕出孔，使下層Al曝露出來，然后通過陽極氧化法在曝露出的部分形成多孔氧化鋁，同時對每個孔進行進一步的加工，可以形成為唯一的一個納米尺度的氧化鋁小孔，或形成孔徑一致，分布均勻納米孔陣列...

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一種納電子相變存儲器的制備方法

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