2007年 應(yīng)用技術(shù)
近年來短波長發(fā)光管激光器一直是半導(dǎo)體光電器件研究的熱點。ZnO作為一種直接帶隙的寬禁帶材料，是繼GaN之后光電研究領(lǐng)域又一熱門研究課題。與GaN相比，ZnO和GaN的能帶間隙和晶格常數(shù)非常接近，可互為緩沖層，有相近的光電特性，在某些應(yīng)用領(lǐng)域顯示出比GaN更大的發(fā)展?jié)摿Αno具有激光閾值低和高溫下工作等優(yōu)點，這是一個突破性的進展。由于ZnO近紫外光發(fā)射（發(fā)射波長為380～400nm）比氮化鎵的...
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