自催化VLS法選擇定位生長GaN納米線陣列及其發光特性

2007年

應用技術

成果簡介

　　本項目旨在探索一種選擇定位生長GaN納米線陣列圖形結構的新方法，即用合成的GaN納米線組成隨機圖形，在高溫下使GaN分解，形成與GaN納米線圖形相同的Ga液滴圖形，再以Ga液滴為生長核心，在NH_3作用下生長出GaN納米線陣列圖形。通過一年的探索研究，我們掌握了在低真空條件下合成GaN納米線的關鍵技術；意外發現了大面積合成非晶氧化硅納米線有序陣列的新方法；系統研究了襯底上GaN納米線和GaN薄...

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