高性能納米電子芯片絕緣材料

2007年

應用技術

成果簡介

高性能的電子芯片絕緣材料是開發下一代超高密度電子芯片的關鍵和瓶頸。根據國際半導體協會的預測，在下一代電子芯片中要求絕緣材料的絕緣系數（k值）小于2.0，來解決由于導線的尺寸及間距縮小而產生的高能耗和信號交叉干擾等問題。
本項目是為開發下一代高性能電子芯片絕緣材料來做研究和探索的。含氟聚合物在所有聚合物中具有最低的絕緣系數、良好的熱性能和抗濕性，是下一代電子絕緣材料的最佳...

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高性能納米電子芯片絕緣材料

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