2007年 應(yīng)用技術(shù)
新型半導(dǎo)體功率器件IGBT是當(dāng)今電力電子領(lǐng)域性能優(yōu)異，應(yīng)用廣泛的器件。這里介紹的槽柵IGBT器件，采用VLSI技術(shù)中的硅柵等平面工藝制作，但對制作工藝進(jìn)行了簡化，用200mm～300mm硅片。主要應(yīng)用于通訊開關(guān)電源，家用電器變頻，顯示驅(qū)動等領(lǐng)域，經(jīng)濟(jì)效益顯著，市場前景廣闊。
歡迎有較強(qiáng)市場開拓能力和一定資金實力的投資者與我們一起進(jìn)行槽柵結(jié)構(gòu)IGBT器件的生產(chǎn)開發(fā)!... 
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