CVD、PCVD、PECVD化學氣相沉積設備

2007年

應用技術

成果簡介

　　制備非晶硅薄膜，用以制造太陽能電池。
　　真空度：主沉積室＜7×10^(-5)Pa 進出片室＜7×10^(-4)Pa，真空度可調
　　樣品尺寸：220×220
　　溫度：350℃，可控可調
　　RF電源：f=13.56MHZ 300～1000W
　　結構：七個矩型真空室，500×450×300，樣品交接取放自動控制。...

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CVD、PCVD、PECVD化學氣相沉積設備

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