大直徑SiGe/Si外延材料研究及產業化開發

2007年

應用技術

成果簡介

主要研究內容：改進具有自主知識產權的紅外加熱超過真空化學氣相淀積（UHV/CVD）鍺硅外延設備以適用小批量制作5～6英寸鍺硅外延材料。研究滿足大功率鍺硅HBT和鍺硅外延單片集成電路需要的材料。研究（UHV/CVD）大直徑鍺硅外延片的工藝規范，工藝流程和測量方法。研究8英寸鍺硅外延生長技術并提供樣品。鍺硅外延片中鍺含量控制在0～15%以內，片內均勻性±5%，片間均勻性±5%。課題目標：要研究...

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