自主創新WDM集成解復用光探測器和關鍵工藝研究

2007年

應用技術

成果簡介

在本項目實施過程中，取得了以下的成果：
1、發明了一種新型腐蝕液，并且利用可控自推移動態掩膜濕法刻蝕技術在InP基的外延層上制作成功了傾角可控的各種楔形結構。制備成功的InP基楔形結構的傾角范圍為0.5°～49.0°，表面粗糙度小于1.65nm。
2、發明了一種可用于GaAs/InP基材料之間低溫、高質量晶片鍵合的簡便且無毒性的新型表面化學處理工藝。...

相關成果

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自主創新WDM集成解復用光探測器和關鍵工藝研究

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