Φ8″高性能硅外延材料

2006年

應用技術

成熟應用階段

成果簡介

該課題利用化學汽相淀積方法，采用世界最先進ASM公司EP2000型單片外延設備，高溫下氯硅烷與H2發生反應，分解出的Si原子在原子級潔凈的單晶片上通過物理運輸和化學結合，外延一層或多層晶格與原單晶匹配的薄膜，通過時間控制和摻雜控制，獲得了不同電阻率、不同厚度、不同類型、不同結構的φ8″硅外延材料。本研究通過溫度均勻性的控制、氣體流速的控制、反應室壓力的控制和自摻雜的控制，掌握了φ8″硅外延...

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Φ8″高性能硅外延材料

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