一種器件轉移方法

2003年

應用技術

初期階段

成果簡介

本發明涉及采用多孔硅分離技術將硅襯底上制作的器件轉移到特定襯底上實現器件的轉移。屬于微電子領域。
本發明特征是利用陽極氧化的方法在單晶硅片上制作具有分層結構的多孔硅，在多孔硅的外延層上制作器件，采用倒裝貼片技術將電路與特定基體孫鍵合，利用特殊方法在多孔層區域將襯底硅與已制作器件的上層硅分離。這種技術制作的電路具有散熱好、功耗低，在大功率器件以及移動通信系統所使用的射頻電...

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