2004年 應(yīng)用技術(shù)
研究摻碳的SiGeC/Si異質(zhì)結(jié)構(gòu)，利用摻碳的補(bǔ)償作用降低SiGe層的應(yīng)力，大大改善器件的電特性和工藝的容限。該項(xiàng)目擬利用SiGeC材料的優(yōu)異特性，研究制作SiGeC/Si異質(zhì)結(jié)快速功率二極管。通過(guò)Ge含量和C含量的調(diào)節(jié)，提高注入效率，從而降低通態(tài)壓降。實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的存儲(chǔ)電荷Q、正向電壓Vf和反向漏電流Ir 之間折衷，實(shí)現(xiàn)良好的反向快恢復(fù)和軟恢復(fù)特性以及低靈敏溫度特性。并利于今后的功率集成。應(yīng)用范圍：...
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