φ2″InP單晶生長技術

2001年

應用技術

成果簡介

該專題基本解決了(100)InP單晶生長的工藝難關，提供直徑2英寸摻S和摻Fe半絕緣(100)InP單晶拋光片，滿足國內對InP單晶襯底的需求。該專題集中解決了以下關鍵技術：1、獨特的原位直接合成技術；2、改進的“封閉式”熱場抑制孿晶和降低位錯；3、利于晶錠加工和改善晶體性能的熱處理技術。應用情況及推廣前景：InP是重要的Ⅲ－V族化合物半導體材料，其一系列的優越性使之在民用、軍用光纖通信、微波、毫...

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