制作亞微米線條的光刻技術

2003年

應用技術

成果簡介

內容簡介：利用曝光后的光刻膠與有關硅烷反應，在表面生成一硅層，縫面在于清腐蝕中變為堅硬的二氧化硅起刻蝕中的掩膜版作用。可采用普通接觸式光刻機和深紫外線光源，制作出線寬/間距同為0.7微米的線條，可有效的提高現有光刻設備的曝光分辨率。使用范圍及市場預測：用于半導體器件與集成電路制造中的微細加工，對傳統的光刻工藝進行技術革新，大幅度提高光刻設備的光刻精度。投產條件及效益分析：投產條件：普通接觸式光刻機...

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