高溫壓力傳感器芯片的制作方法

2001年

應用技術

成果簡介

這種高溫壓力傳感器芯片的制作方法，最為關鍵的工藝是將有單晶碳化硅外延層的硅片與外層被氧化的硅片用濃硫酸清洗，再用去離子水沖洗，然后將其中硅片的碳化硅面與另一硅片的氧化硅面進行鍵合，最后將其放入氫氧化鉀溶液中腐蝕，去除碳化硅外延層的襯底硅層。這種方法不僅簡化了高溫壓力傳感器芯片的制作工藝，而且保證了這樣制造出來的芯片的單晶碳化硅高溫半導體特性的充分發揮。...

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高溫壓力傳感器芯片的制作方法

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