應力緩沖襯底上異質半導體薄層轉移技術的研究

2003年

基礎理論

成果簡介

　　為了實現在同一基底上多種異質材料與器件的集成。本基金研究了以所謂的“靈巧切割”和鍵合技術（Start-cutting SOI）為基礎的半導體薄膜轉移技術。
為了適應更大晶格失配的材料轉移，采用了超薄硅頂層（Si1）/1SiO_x/Si結構，其中（Si）1曾約在10-15原子層范圍以它的應變來緩沖轉移層與基底之間由于晶格嚴重失配而產生應力。其中的SiO_x夾層以氧離子注入和退...

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應力緩沖襯底上異質半導體薄層轉移技術的研究

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