應(yīng)變層量子阱和超晶格的能帶裁剪和器件設(shè)計(jì)新方案

2001年

應(yīng)用技術(shù)

成果簡(jiǎn)介

該項(xiàng)目研究半導(dǎo)體應(yīng)變層量子阱和超晶格的能帶剪裁理論和方法，為器件設(shè)計(jì)提供核心設(shè)計(jì)參數(shù)－兩種不同半導(dǎo)體之間的能帶帶階。在密度泛函理論第一性原理能帶計(jì)算獲得能帶結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，用該課題組建立的平均鍵能(ABE)理論和計(jì)算方法，系統(tǒng)地計(jì)算了InP，InAs，GaP，GaAs，AlAs和AlP等六種化合物之間任意兩種材料所組成的應(yīng)變層超晶格的能帶帶階，為器件設(shè)計(jì)提供理論依據(jù)和設(shè)計(jì)參數(shù)。該成果已被應(yīng)用于國(guó)家科...

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