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    新型GaAs基近紅外低維結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體光電材料與器件

    2005年 基礎(chǔ)理論
    • 成果簡(jiǎn)介
      新一代近紅外半導(dǎo)體低維光電子材料與器件是21世紀(jì)國(guó)際上十分重要的研究方向之一。目前近紅外InP基材料以單元器件為主,存在成本高、溫度穩(wěn)定性差、難以單片集成等缺點(diǎn)。發(fā)展GaAs基近紅外材料和集成光電子器件成為近5年來熱點(diǎn)課題。本項(xiàng)目全面開展了GaAs基1.0~1.6微米材料生長(zhǎng)、低維結(jié)構(gòu)物理、激光器與探測(cè)器制備等研究工作,得到國(guó)家科技部、自然科學(xué)基金委、中科院創(chuàng)新工程等的支持,取得一系列具有國(guó)際...

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