2000年 應(yīng)用技術(shù)
該成果包括SEED陣列的材料和制作工藝、與CMOS?SEED相關(guān)的CMOS集成電路研制、與CMOS?SEED相關(guān)的MCM倒裝焊接技術(shù)和CMOS?SEED的封裝工作研究四部分。SEED集成列陣工作波長(zhǎng)為800nm-870nm，工作電壓為8-10V，反向擊穿電壓大于19V，光電流響應(yīng)時(shí)間小于3nS，對(duì)比度為2∶1。CMOS前置放大器集成電路帶寬超過(guò)300MHz，建立了一整套包括凸點(diǎn)陣列制作、倒裝焊和子...
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