量子阱半導體激光器

2000年

應用技術

成果簡介

半導體激光器又稱激光二級管，是國際國內前沿領域的重大研究課題。該研究芯片結構進行了長期的研究工作，主要技術指標已達到了國際先進水平，并具備了利用該芯片材料制作器件，向市場推廣應用的能力。半導體激光器其體積和重量如同大功率三極管。808納米半導體激光器作為光泵源是其它光泵源效率的5-10倍。半導體企業基本具備了利用該芯片材料制作器件的設備和技術條件。其它企業僅需50-200萬元的投資，可實現年生產5...

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量子阱半導體激光器

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