WFD0005型單片可選通低噪聲放大器

2002年

應用技術

成果簡介

WFD0005型單片可選通低噪聲放大器由一級低噪聲增益可控放大器和二級增益可控放大器組成，采用Φ50mm全離子注入GaAsMMIC工藝技術制造芯片，上述兩種芯片采用多芯片微組裝技術封裝于JF08F1管殼中，封裝尺寸17.6mm×10.6mm×3.8mm，重量3.0克。典型性能為工作頻率f:2.65-2.85GHz；增益Ga:29dB；噪聲系數NF:1.4dB；增益可控范圍AGC:≥80dB；輸入駐...

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WFD0005型單片可選通低噪聲放大器

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